功率器件設(shè)計(jì)

職位類別：

【職責(zé)描述】
1、負(fù)責(zé)氮化鎵芯片關(guān)鍵工藝過程進(jìn)行開發(fā)，提升芯片指標(biāo)；
2、對不同襯底（如硅基，碳化硅基或QST等）外延片材料，結(jié)構(gòu)和工藝進(jìn)行研究； 
3、對內(nèi)外部芯片性能及工藝穩(wěn)定性持續(xù)提升，滿足性能和良率要求；
4、對氮化鎵芯片進(jìn)行設(shè)計(jì)、仿真驗(yàn)證，改進(jìn)流片和CP過程，達(dá)到客戶指標(biāo)要求；
5、與應(yīng)用工程師和產(chǎn)品經(jīng)理相配合，了解應(yīng)用與客戶需求，提出設(shè)計(jì)方案和落地方案；
6、參與GaN器件工藝平臺的開發(fā)； 
7、具備解決GaN器件參數(shù)優(yōu)化及可靠性提升的能力。

【任職要求】
1、碩士及以上學(xué)歷，電子科學(xué)與技術(shù)、電磁場與微波技術(shù)和微電子等相關(guān)專業(yè)；
2、熟練掌握器件測試儀器操作，包括矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀，半導(dǎo)體參數(shù)分析儀等，掌握多種工藝不同類型器件建模，熟練掌握功率GaN HEMT器件建模者優(yōu)先；
3、具有較強(qiáng)的邏輯思維能力和學(xué)習(xí)能力；